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產品概述

 

上海陸芯MOS產品采用先進的屏蔽柵溝槽(Shield Gate Trench)MOSFET技術,同時降低了器件比導通電阻Ronsp和柵極電荷Qg,得到更小的品質因數FOM(Rdson*Qg)。采用這一先進技術有效提高了器件的開關速度,降低了開關損耗,配合以先進的終端設計和封裝技術,使器件具有更優異的性能和更強的可靠性。

 

特點和優勢:

1.      極低的Rdson

2.      極低的Qg和Qgd

3.      更快的開關速度

4.      更低的開關損耗

5.      UIS耐量100%出廠測試

 

產品型號

Part Number
VDS (V)
ID(A) @25℃
Rdson (typ) (mΩ) @10V
Rdson (max) (mΩ) @10V
VGS(th) (V)
Package
YSP040N010T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-220
YSK038N010T1A
100
120
3.2
4.0
3.0
TO-263
YSF040N010T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-220F
YSP042N011T1A
100
120
3.6
4.4
3.0
TO-220
YSK040N011T1A
100
120
3.4
4.2
3.0
TO-263
YSF042N011T1A
100
120
3.6
4.4
3.0
TO-220F

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+86(21)50813323

sales@lu-semi.com

上海市浦東新區達爾文路88號半島科技園15幢301

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